台积电2nm工艺将继续涨价：每片晶圆超3万美元

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据报道，台积电在2nm制程节点上取得了重大突破，将首次引入Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。N2工艺还结合了NanoFlex技术，为芯片设计人员提供了前所未有的标准元件灵活性。相较于当前的N3E工艺，N2工艺预计将在相同功率下实现10%至15%的性能提升，或在相同频率下将功耗降低25%至30%。

据悉，台积电每片300mm的2nm晶圆的价格可能超过3万美元，高于...