Создан революционный транзистор наноразмерности с огромной скоростью переключения и колоссальной устойчивостью к износу

В США создан сверхтонкий транзистор, спокойно выдерживающий 100 млрд переключений, каждое из которых занимает всего несколько наносекунд – в десятки раз быстрее широко применяемых сегодня полупроводниковых компонентов. Устройство построено на основе недавно полученного сегнетоэлектрика и существует в единственном экземпляре.Освоение технологии масового производства таких компонентов может привести к появлению значительно более производительных и энергоэффективных процессоров, а также долговечной постоянной памяти – на замену сегодняшним SSD с ограниченным ресурсом.