Инженеры MIT вырастили «слоёные» 3D-чипы

Исследователи Массачусетского технологического института разработали новый метод создания 3D-чипов, который может произвести прорыв в вычислительной технике. Вместо того чтобы использовать громоздкие кремниевые пластины, инженеры выращивают чередующиеся слои полупроводниковых материалов непосредственно друг на друге при низких температурах. Это устраняет необходимость в толстых подложках.

Традиционные кремниевые 3D-чипы требуют сверления пластин, что ограничивает количество слоев, которые можно укладывать. Прорыв Массачусетского технологического института позволяет избежать этой проблемы.

Исследователи успешно создали многослойный чип, используя два типа двумерных материалов: дисульфид молибдена и диселенид вольфрама. Эти материалы идеально подходят для создания высокопроизводительных транзисторов, что позволяет удвоить плотность чипов.