ASML готовится к массовому внедрению High-NA EUV в следующем году — для 1,4-нм и более тонких чипов

Необходимость дальнейшей миниатюризации полупроводниковых элементов вынуждает производителей переходить на более совершенные методы их изготовления. С точки зрения литографии отрасль должна сделать очередной важный шаг в этом направлении в ближайшие два года, начав выпуск чипов с использованием литографического оборудования класса High-NA EUV. Источник изображения: ASML