Разработка из Курчатовского института улучшит наноэлектронику

В пресс-службе Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» сообщили, что ученые центра разработали двумерный магнит, который может значительно улучшить кремниевую электронику. Этот материал, состоящий из нескольких монослоев, включает атомы алюминия и кремния, а также слой атомов гадолиния, придающий магнитные свойства.

Разработка базируется на оригинальном методе синтеза, который позволяет стабилизировать слоистые структуры с точностью до одного монослоя. Это позволяет создавать ультратонкие пленки толщиной от одного до десяти монослоев, что открывает новые возможности для создания материалов в наноэлектронике и спинтронике, отметили в пресс-службе.

Технология интеграции магнита с кремниевой платформой обеспечит улучшение функциональных характеристик электронных устройств, сохраняя их компактность. Новый метод синтеза позволяет создавать ранее неизвестные вещества, что является значительным достижением в дизайне материалов для электроники, добавили в пресс-службе.