Инженеры совершили прорыв в графеновых мемристорах — резисторах с «памятью»

Учёные из Лондонского университета королевы Марии и компании Paragraf Limited совершили значительный прорыв в разработке графеновых мемристоров — ключевого компонента для будущих систем вычислений и ИИ. Их инновация, недавно опубликованная в журнале ACS Advanced Electronic Materials, демонстрирует масштабируемый процесс производства мемристоров на основе графена на уровне пластин, что важно для серийного выпуска.

Мемристоры с графеном, обладающие возможностями энергонезависимой памяти, имитируют синапсы мозга и обещают широкий спектр применений в ИИ и оптоэлектронике. По словам ведущего исследователя доктора Чжичао Вэна, графеновые электроды обеспечивают не только улучшенную износостойкость, но и уникальные функции, такие как светочувствительные синапсы, что открывает возможности для ИИ, помогающие снизить затраты энергии на обучение больших языковых моделей.

Процесс Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) компании Paragraf в свою очередь позволяет напрямую выращивать графен на подложках.