CES 2015: Samsung показала новейшие чипы TLC 3D V-NAND

Многослойная память Samsung TLC 3D V-NAND хороша во всех отношениях: благодаря использованию сравнительно грубого техпроцесса она надёжна, даже несмотря на трёхъячеечную архитектуру, а благодаря многослойности — имеет существенно большую емкость по сравнению с традиционной однослойной MLC. На выставке CES 2015 компания продемонстрировала кремниевые пластины, содержащие новейшие чипы NAND.

Показаны были как 16-гигабитные кристаллы классической флеш-памяти MLC, произведённой с использованием нового 10-нанометрового техпроцесса, так и 32-слойные кристаллы TLC 3D V-NAND ёмкостью 128 гигабит. Как уже было упомянуто, трёхмерная память типа TLC существенно надёжнее обычной планарной того же типа, поэтому неудивительно, что Samsung планирует массово поставлять новые чипы корпоративному сектору рынка, в котором велики требования как к надёжности, так и к ёмкости твердотельных накопителей.