Созданы силиценовые транзисторы толщиной в один атом

Исследователи из Техасского университета в Остине (США) создали первые транзисторы на основе силицена. Теоретически это открывает путь к созданию компьютерных чипов, которые будут значительно быстрее, компактнее и энергоэффективнее современных решений.

Monty Rakusen/cultura/Corbis