Созданы силиценовые транзисторы толщиной в один атом
Исследователи из Техасского университета в Остине (США) создали первые транзисторы на основе силицена. Теоретически это открывает путь к созданию компьютерных чипов, которые будут значительно быстрее, компактнее и энергоэффективнее современных решений.
Monty Rakusen/cultura/Corbis
Monty Rakusen/cultura/Corbis