Ученые из МГУ и РАН создали не имеющий аналогов материал для оптоэлектроники

Пленки на основе диоксида ванадия с показателями, до сих пор не имеющими аналогов в мире по параметрам проводимости, смогли создать российские ученые.

Москва, 1 мая. Пленки на основе диоксида ванадия с показателями, до сих пор не имеющими аналогов в мире по параметрам проводимости, смогли создать российские ученые.

Специалистам Московского государственного университета им. Ломоносова (МГУ) и их коллегам из институтов Российской академии наук (РАН) удалось при сравнительно низких температурах (+68 градусов Цельсия) получить резкое улучшение проводимости на 4–5 порядков. Таким образом, они создали сверхбыстрые оптоэлектронные переключатели, управляемые температурой, пишет 3Dnews.

В планах ученых понизить температуру при изготовлении и совместить термоэлектрические свойства пленок и их чувствительность к воздействию ИК- и терагерцевого излучений. По словам специалистов, это позволит расширить область использования.

Ученые из Дальневосточного федерального университета и Института химии ДВО РАН создали материал со световыми «антеннами» на основе ионов европия. Его можно применять для повышения производительности солнечных панелей.