Infineon разработала GaN-транзисторы для базовых станций 5G

По мнению аналитиков, главным стимулом перехода на транзисторы из нитрида галлия (GaN) на подложках из карбида кремния (SiC) станут электромобили. Автомобили изменили сначала Америку, а потом и весь мир. Поэтому у автопрома точно так же много шансов изменить мир с помощью электромобилей. Само собой, это заденет электронную промышленность в плане перехода на новую силовую элементную базу с ещё большей эффективностью. Другим важным направлением для развития «не кремниевых» полупроводников обещает стать сотовая связь пятого поколения (5G). Пропускная способность каналов 5G обещает возрасти до 20 Гбит/с и перейти в более высокий частотный диапазон с несущей частотой на уровне 6 ГГц. С традиционными кремниевыми транзисторами LDMOS будет трудно как покорять новые частоты, так и демонстрировать приемлемую эффективность работы. Выходом из этой ситуации тоже может стать массовый выпуск силовых GaN-транзисторов, работающих в радиочастотном диапазоне.