Группа компаний намерена вывести производство чипов на пластинах FD-SOI на новый уровень

Французский институт CEA и компании Soitec, GlobalFoundries и STMicroelectronics собрались в альянс для разработки планов по переводу технологии производства полупроводников на подложках FD-SOI на новый уровень. Участники альянса намерены продвигать технологию для выпуска передовых решений для автомобильной электроники и Интернета вещей, для которых важны низкое энергопотребление и высокая производительность. Подложки FD-SOI или кремний на изоляторе с полностью обеднённым слоем позволяют выпускать чипы с очень низкими токами утечки без снижения производительности транзисторов. Например, производители заявляли, что 28-нм планарные транзисторы на пластинах FD-SOI по производительности приближаются к 16-нм транзисторам с вертикальными затворами на обычных кремниевых пластинах. Тем самым без перехода на новые литографические сканеры можно выпускать чипы с превосходной производительностью и впечатляющей энергоэффективностью.