Новости по-русски

Innosilicon разогнала память LPDDR5X до 10 000 Мбит/с — это даст 80 Гбайт/с пропускной способности

Innosilicon разогнала память LPDDR5X до 10 000 Мбит/с — это даст 80 Гбайт/с пропускной способности

Китайский производитель микросхем Innosilicon сообщил, что смог заставить чипы памяти LPDDR5X работать на впечатляющей скорости — 10 000 Мбит/с. Это на 17 % выше 8533 Мбит/с, которые являются максимальной частотой в утверждённой комитетом JEDEC спецификации для LPDDR5X. Кроме того, китайский производитель смог снизить задержки чипов памяти LPDDR5X. Источник изображений: Innosilicon

Читайте на 123ru.net