Принцип новой флешки основан на применении в ней мульти-графена. В Институте физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН разработали флеш-память с использованием мультиграфена, которая по быстродействию и времени хранения информации существенно превосходит...