Ученые усовершенствовали технологию производства материала для запоминающих устройств нового поколения

Ученые разработали методику, позволяющую получить наноструктурные материалы на основе диоксида циркония с большим количеством кислородных вакансий — участков, вовлеченных в проведение тока