Разработано устройство для создания имплантеров для микроэлектроники
НОВОСИБИРСК, 25 декабря. /ТАСС/. Ученые Института ядерной физики (ИЯФ) СО РАН в Новосибирске разработали первое в России устройство для создания сильноточных ионных имплантеров, необходимых в микроэлектронике.