Ученые НГУ получили материалы для создания элементов памяти будущего

Исследователи из Новосибирского государственного университета создали инновационные материалы, которые способны значительно улучшить характеристики будущих элементов памяти, превосходя текущую флеш-память по количеству циклов перезаписи, объёму и скорости работы. Как сообщает университет, современные технологии достигли своего предела: исчерпаны возможности увеличения количества циклов перезаписи, продолжительность использования и объём данных, которые можно хранить на одной ячейке. Дальнейшее развитие на основе существующей технологии флеш-памяти невозможно.