Ученые открыли способ «выращивать» транзисторы субнанометрового размера
Исследовательская группа под руководством директора Центра квантовых твердых тел Ван-дер-Ваальса в Институте фундаментальных наук (IBS) Джо Мун-Хо реализовала новый метод эпитаксиального роста 1D металлических материалов шириной менее 1 нм. Группа применила этот процесс для разработки...