Разработано первое в мире устройство энергонезависимой памяти, объединяющее двумерные материалы и сегнетоэлектрики.
Разработанная технология объединяет дисульфид вольфрама (WS₂), двумерный (2D) материал, с оксидом гафния-циркония (HZO), сегнетоэлектрическим материалом, обеспечивая как стабильность интерфейса, так и превосходную кристалличность. Результаты были одобрены Международной конференцией по электронным устройствам 2024 (IEDM 2024), одной из трёх крупнейших мировых конференций по полупроводникам, которую часто называют «Олимпиадой полупроводников». Дисульфид вольфрама (WS₂) — это двумерный материал,... Читать дальше...